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      氣離刻蝕清洗技術

      氣體離子刻蝕清洗及輔助沉積技術的基本原理如下:

      ① 在涂層前,利用氣體離子源將氬氣和氫氣離化,產生的氣體離子(Ar+和H+)在偏壓作用下,對產品表面進行刻蝕清洗;

      ② 在涂層中,利用氣體離子源將氬氣、氮氣、氧氣等反應氣體離化,輔助磁控濺射或電弧沉積;

      氣體離子刻蝕清洗及輔助沉積優點有:


      ① 氣體等離子體能量范圍寬,可強可弱,適用于各種類型的工件;

      ② 有效去除表面氧化層,刻蝕清洗效果更徹底,膜基結合力好;

      ③ 輔助沉積,有利于涂層致密性、改善鍍膜均勻性;

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